SI7112DN-T1-E3
Electro-Films (EFI) / Vishay
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Electro-Films (EFI) / Vishay SI7112DN-T1-E3
| Artikelnummer: | SI7112DN-T1-E3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 3000+ | $0.7496 |
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- Spezifikationen
- Einkaufshandbuch
- Versandinformationen
- Verpackung
-
Electro-Films (EFI) / Vishay SI7112DN-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI7112DN-T1-E3.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Vgs (Max) ±12V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® 1212-8 Serie TrenchFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5 mOhm @ 17.8A, 10V Verlustleistung (max) 1.5W (Ta) Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse PowerPAK® 1212-8 Andere Namen SI7112DN-T1-E3TR
SI7112DNT1E3Betriebstemperatur -50°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount Produkteigenschaften Eigenschaften Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2610pF @ 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 4.5V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V detaillierte Beschreibung N-Channel 30V 11.3A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11.3A (Tc) SI7112DN-T1-E3 Einzelheiten PDF [English] SI7112DN-T1-E3 PDF - EN.pdf -
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